深圳市云创达科技有限公司

封装/外壳：TO220

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：19（Tc）

驱动电压（ Rds On，小 Rds On）：6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：1.3 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3.9V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：460nC @ 10V

Vgs（值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：14240pF @ 25V

功率耗散（值）：375W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

系列：HEXFET®，StrongIRFET™

FET类型：N 沟道

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：19（Tc）

驱动电压（RdsOn，小RdsOn）：6V，10V

不同Id时的Vgs（th）（值）：3.9V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（值）：460nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（值）：14240pF @ 25V

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（值）：1.3 毫欧 @ 100A，10V

封装形式Package：TO-220AB

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：40V

连续漏极电流ID：409A

供应商器件封装：TO-220AB

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs