深圳市云创达科技有限公司

封装/外壳：SOT223

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.6A（Ta）

驱动电压（ Rds On，小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：19nC @ 10V

Vgs（值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：420pF @ 25V

功率耗散（值）：2.8W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：185 毫欧 @ 1.6A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

系列：HEXFET®

FET类型：N 沟道

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.6A（Ta）

驱动电压（RdsOn，小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（值）：5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（值）：19nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（值）：420pF @ 25V

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（值）：185 毫欧 @ 1.6A，10V

封装形式Package：SOT-223

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：150V

连续漏极电流ID：2.6A

供应商器件封装：SOT-223

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（）@ Vgs：10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（） @ Vds：25V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs