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MJD32CT4G

规格信息：

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极电压 VCEO:100 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:1.2 V

直流电集电极电流:3 A

增益带宽产品fT:3 MHz

小工作温度:- 65 C

工作温度:+ 150 C

系列:MJD32C

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:6.22 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

集电极连续电流:3 A

直流集电极/base Gain hfe Min:25

Pd-功率耗散:1.56 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

单位重量:1 g