深圳市云创达科技有限公司

封装/外壳：PG-TO220-3

RoHS：Y

技术：Si

安装风格：ThroughHole

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：800V

Id-连续漏极电流：17A

Rds On-漏源导通电阻：290mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.1V

Vgs - 栅极-源极电压：10V

Qg-栅极电荷：88nC

小工作温度：-55C

工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：227W

通道模式：Enhancement

封装：Tube

高度：15.65mm

长度：10mm

系列：CoolMOSC3

晶体管类型：1N-Channel

宽度：4.4mm

下降时间：12ns

MXHTS：85412999

上升时间：15ns

典型关闭延迟时间：72ns

典型接通延迟时间：25ns

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：17A（Tc）

驱动电压（ Rds On，小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3.9V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：177nC @ 10V

Vgs（值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：2320pF @ 25V

功率耗散（值）：208W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：290 毫欧 @ 11A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO220-3-1

商标名：CoolMOS

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs