BSN20-7
规格信息:
规格信息:
制造商:Diodes Incorporated
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:50 V
Id-连续漏极电流:500 mA
Rds On-漏源导通电阻:1.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:800 pC
小工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:920 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:BSN20
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Diodes Incorporated
下降时间:8.3 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:2.99 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:9.45 ns
典型接通延迟时间:2.93 ns
单位重量:8 mg