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新一代MOSFET的设计旨在小化状态电阻(RDS(ON))，同时保持优越的开关性能，使其成为电源管理应用的理想选择。
功能和好处
•N沟道MOSFET
•低导通电阻
•极低的栅极阈值电压
•低输入电容
•快速切换速度
•低输入/输出泄漏
•超小型表面贴装封装，封装0.4mm
身高
•ESD保护门
•完全无铅且完全符合RoHS（注1和2）•无卤素和锑。“绿色”装置（注3）
•符合AEC-Q101高可靠性标准
机械数据
•外壳：X2-DFN1006-3•外壳材料：模压塑料，“绿色”模压化合物。
UL易燃性分类额定值94V-0•湿敏性：根据J-STD-020的1级
•终端连接：见图表
•端子：表面处理-铜引线框架上的NiPdAu。
根据MIL-STD-202，方法208可焊接
•重量：0.001克（近似值）
应用
•DC-DC转换器
•电源管理功能
