深圳市云创达科技有限公司

   这些非常高压的n通道电源mosfet采用MDmesh™K5技术设计，基于创新的专有垂直结构。

   其结果是对需要优越功率密度和率的应用显著降低了电阻和超低栅极电荷。

 行业RDS（on）x区域

 行业FoM（绩效指标）

 超低栅电荷

 100%雪崩测试

 齐纳保护

应用

 交换应用